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[砷化镓晶片 ] 砷化镓晶片-砷化镓衬底 2017-07-30 16:59:33
Type/Dopant SI-Type/Carbon N-Type/Si Undoped P-Type/Zn GrowthMethod VGF Diameter 2,3,4 Orientation (100)0.5 Thickness(m) 2:35025um;3and4:62525um Mobility(cm2/V.S.) 1103 (1-2.5)103 (3-5)103 50-100 EtchPitchDensity(cm2) 1500-5000 100-5000 150 ......
[砷化镓晶片 ] 砷化镓晶片-砷化镓衬底 2017-07-30 16:58:17
砷化镓 砷化镓(gallium arsenide),化学式 GaAs。黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下,能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。 砷化镓是一种重要的 半导体材料 。属Ⅲ- ......
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